三极管有两个PN结，它的符号用字母VT或Q表示。三极管在电路中有放大信号的作用，与其它元件可构成振荡电路，具有开关功能，三极管有多种类型，按外形可分为玻璃壳、金属壳、

三极管有两个PN结，它的符号用字母VT或Q表示。三极管在电路中有放大信号的作用，与其它元件可构成振荡电路，具有开关功能，三极管有多种类型，按外形可分为玻璃壳、金属壳、塑封的按功率分为微型、贴片小功率、大功率三极管，按材料的不同可分为锗管、硅管和化合物型三极管按极性可分为PNP型和NPN型三极管按频率高低不同可分为超高频、高频、和低频型三极管。

可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。绝缘栅型场效应管也称MOS场效应管，它又可分为耗尽型、增强型两种。它们都有单栅极管和双栅极管之分。场效应管在电路中的作用是放大、恒流、阻抗变换及开关控制。lGBT管是绝缘栅双极晶体管，是高压、高速、大功率半导体功能器件。常用在电磁炉、逆变器、大功率电动机调速器等高速振荡高电压能量变换的电路中。

MN1不是电流放大器，只是一个开关电路，改变PROG上的等效电阻而已啊当Rprog1.2千欧就可以达到1A的充电电流，如果适配器或USB电源功率足够的话。MN1用N沟道的Mosfet，小信号的就可以如NTR4003N，甚至可以用NPN都可以做。

对导通时间要求不高的情况下，如果电流比较大，肯定是继电器功耗小一点啦！（没见过几个继电器需要加散热片的吧，而大功率场效应管、晶闸管都是需要散热器的！而且继电器成本较低）但是继电器触点寿命不是太高，高要求下建议采用可控硅或场效应管！希望能对你有所帮助。

沟道的选择为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应管。在典型的功率应用中，当一个场效应管接地，而负载连接到干线电压上时，该场效应管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道场效应管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道场效应管，这也是出于对电压驱动的考虑。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使场效应管不会失效，就选择场效应管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变，不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。