之前公司主管面试了一个应聘者，做电源硬件开发的，主管问到了电源方面的一些知识，其中有一个问题是：在开关电源驱动mos管电路中，驱动信号PWM波电压是不是越高越好，这样

之前公司主管面试了一个应聘者，做电源硬件开发的，主管问到了电源方面的一些知识，其中有一个问题是：在开关电源驱动mos管电路中，驱动信号PWM波电压是不是越高越好，这样mos管GS电容充电时间更短，驱动源有8V，也有12V的，假如mos驱动阈值电压是4.5V的话，你会选择哪个驱动源呢，当时这个应聘者不知所措了，不该如何是好，，一看，这个应聘者就是伪装者，结果如大家所料被Pass，所以有真本事才能找到好工作。

可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，在漏源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。扩展资料：MOS管的应用：1、PMOS管反向保护电路中用到PMOS，不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。

15或18都可以的。你这个问题没有给定具体的mos管的型号等相关参数，因此无法给出保护栅级的稳压管为多少V。选着合适的保护栅级的稳压管，理论上最大值要小于mos管的栅源击穿电压V（br）gs；在实际工作中要看该mos管栅电压工作范围，稳压管等于或略小于其栅工作电压最大值即可。总之，要根据mos管型号去找其规格书，根据规格书要求来定，不是随便给出的。

mos管vds电压计算方法：根据PI*I*R，得出I10.3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞10.3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。Vds是场效应管漏极和源极间的电压，Vgs是栅极与源极间电压，指的是电压值不存在加减关系和电流方向。

米勒效应。Mos管的三极存在以下三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds，米勒电容指的是Cgd。米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值过后Vgs电压又开始上升直至完全导通，米勒效应阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗剧增。