23.浸漆的TDKRF电感与未浸漆的鼓状差模电感，浸漆磁芯产生的噪音要小12dB处理异音的方法之二24.变压器生产时真空浸漆，可以使其工作在较低的磁通密度，使用环氧树脂黑胶填充

23.浸漆的TDKRF电感与未浸漆的鼓状差模电感，浸漆磁芯产生的噪音要小12dB处理异音的方法之二24.变压器生产时真空浸漆，可以使其工作在较低的磁通密度，使用环氧树脂黑胶填充三个中柱上的缝隙处理异音的方法之三25.电路设计，启动电阻如果使用在整流前时,要加串一颗几百K的电阻。理由：电阻短路时,不会造成IC和MOSFET损坏。

MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

结型和绝缘栅型比较好区别，绝缘栅型的栅极和其他两级都不导通，测量电阻基本为无穷大，结型的话会，会有PN结的特性。耗尽型和增强型应该都是属于绝缘栅型的子类，市面上多数为增强型，有个简单的方法可以测试：首先短路G极和S极，然后测量D和S极之间是否导通，增强型MOSFET此时D和S极直接几乎绝缘；然后用多用表二极管档给G极充电，充电以后保持G极绝缘，然后测试D和S极之间的电阻，可以验证得此时电阻非常小，一般为mΩ级别。

什么是MOS管?它有什么注意事项?MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。与普通的晶体三极管相比，具有以下四个优点，即，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等，MOS管现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOSCMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。

在集成电路高阻抗栅前面还有电阻二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD)，实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端VDDGND短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。