筛选和质量控制是高可靠器件的重要环节。因此对三极管的Ube输入特性，输出静态线性特性，饱和压降，BCbo，BvcE0，特征频率，开关频率，频带宽度，响应时间，以及幅频特性。

筛选和质量控制是高可靠器件的重要环节。因此对三极管的Ube输入特性，输出静态线性特性，饱和压降，BCbo，BvcE0，特征频率，开关频率，频带宽度，响应时间，以及幅频特性。对于NmOs管开启电压，饱和放大线性，截止与非开启电压过渡特性，以及寄生电容影响性能，耐压特性，对于IGBT管Cgc寄生电容，饱和压降，米勒效应检测，以及擎柱效应检测。

双向可控硅过零点检测，T1，T2输出电压对称。光耦元件发光强弱和光敏元件感光灵敏度，耐压。TL一431精密稳压器件，门限电压，稳压值检测。二极管开通阀值线性段检测，漏电流，反向耐压值，开关频率，响应速度，快恢复二极管正向压降，恢复时间，耐压。光电二极管灵敏度，正向开启电压，反向耐压。变容二极管电容量检测等等各项指标检测。

饱和压降（Vces）：在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料），IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降。饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标，在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流，Vce会急剧上升，一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右，IGBT就会损坏。

对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。

表1IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。

IGBT是绝缘栅双极型晶体管。IGBT全称“InsulatedGateBipolarTransistor”，IGBT是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT的特点是高耐压、导通压降低、开关速度快、驱动功率小，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。