刚刚参加工作的时候，当时领导要我测试pwm波形的，发现上升沿和下降沿有震荡，而且比较严重。领导说这是测量引入的噪声，要我把示波器测试笔的地线夹子取下来，换成环套，然

刚刚参加工作的时候，当时领导要我测试pwm波形的，发现上升沿和下降沿有震荡，而且比较严重。领导说这是测量引入的噪声，要我把示波器测试笔的地线夹子取下来，换成环套，然后接着测试，发现pwm波形震荡明显减缓了，当时领导只和我说了这个是振铃现象，没具体解释，我当时听了也没太在意，后来在工作中经常发现这种现象，花了点时间把这种现象原因弄清楚了。

1.测试位置不同，为什么pwm上升沿震荡情况不一样？2.pwm上升沿震荡会带来什么影响？3.如何解决这个问题？回答1：pwm上升沿震荡的原因是pwm回路可以等效为RLC电路，发生了LC震荡，至于LC震荡原理，受篇幅限制，这里不作多解释。测量位置的不同会引起RLC等效电路参数不同，进而pwm震荡程度也不一样。比如测量环路很大，pcb走线等效电感也就越大。

MOS管是一种晶体管，可以理解为：一个受电压控制的电阻。根据电压的大小可以调节MOS管的电阻大小，在工作中的MOS管根据电阻的大小可以分为三种区域（三种状态）：1、导通区（电阻几乎为0，一般就是几十mΩ，相当于短路）；2、可变电阻区（类似一个可调电阻，阻值大小受电压控制）；3、截止区（电阻几乎无穷大，相当于断路）。应用范围很广，可大体分为几种状态：1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。

2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。

你好，要使满量程电流通过时，电流表满偏转，即电流表指示达到最大。对于几安的电流，可在电流表内设置专用分流器。对于几安以上的电流，则采用外附分流器。大电流分流器的电阻值很小，为避免引线电阻和接触电阻附加于分流器而引起误差，分流器要制成四端形式，即有两个电流端，两个电压端。

MOSFET基本工作原理通过改变栅源电压VGS来控制沟道的导电能力，从而控制漏极电流ID。因此它是一个电压控制型器件。转移特性反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。

MOSFET就是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。以N沟道增强型NMOSFET为例，用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极）。