松哥讲MOS管：五、MOS管之父。我是松哥，要了解MOS管的历史，我们必须重点介绍两位被誉为MOS管之父的科学家，一位是韩裔物理学家江大，他的中文名在网上可以找到，但英文名

松哥讲MOS管：五、MOS管之父。我是松哥，要了解MOS管的历史，我们必须重点介绍两位被誉为MOS管之父的科学家，一位是韩裔物理学家江大，他的中文名在网上可以找到，但英文名我不太确定怎么读，另一位是马丁阿塔拉博士。在1960年，江大原在贝尔实验室遇到了阿塔拉博士，两人开始合作研究MOS管技术，在前人的研究基础上，他们很快取得了成果。

但是，有趣的是，据说贝尔实验室对MOSFET技术并不感兴趣。直到1963年，阿塔拉博士的芯片组创意才得到了大家的认真考虑。江大原在1967年开发了另一种突破性的MOS管方法，开发了浮动栅级MOSFET。毫无疑问，江大原博士和阿塔拉博士，无论是集体还是个人，都以他们前辈无法想象的方式推动了技术的领域发展。从安全到电路，每个人的野心和好奇心在他们的一生中孕育了无数的项目，我们当然也是其中的受益者。

当负载两端电压(如CPU所需电压)要降低时，MOS管的开关功能生效，外接电源给电感充电，达到所需的额定电压。mos 管是什么事？绝缘栅场效应晶体管的栅极和源极，栅极和漏极之间用SiO2(二氧化硅)绝缘层隔离，因此得名。因为栅极是铝的，所以也叫MOS晶体管。

mos通俗易懂的晶体管工作原理:自上世纪中叶发明片式MOS(MetalOxideSemiconductor)晶体管以来，其工作原理变化不大(但随着工艺的演进，材料和工艺发生了很大变化)。以N型MOS管的四端器件为例:NMOS管的四端分别是D、G、S、B，即漏极、栅极、源极和体端。

当栅极和源极之间的电压差为0时，漏极和源极之间将没有电流前沿(工作在截止区)。当N型MOS管四端器件的栅源电压差小于阈值电压时(工作在亚阈值区)，漏源之间有小电流，与栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压，漏源电压较大时，漏源间电流较大，与栅源电压成平方。如果漏源电压很小，漏源之间有电流，可以认为是电阻。当然，上述漏极端子是人为施加电压的。在实际电路中，当同类型或不同类型的器件串联时，各器件根据基尔霍夫电流定律形成平衡。

两者差别还挺多的。使用上的主要区别是mos的内阻比较小，电压型驱动器件的晶体管内阻比较大，所以是电流型驱动器件，三极管和MOS晶体管在功能上有很多相似之处，但这两个元件有什么区别呢？用一个电路告诉你。MOS晶体管(场效应晶体管)导通电压降低，导通电阻低，栅极驱动不需要电流，损耗低，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻好，适合大功率并联，开关速度低，成本高。