mos管的原理是什么，功率mosfetidsiliconlimited是什么意思？mosfet选型中一个重要的数值是RDS，功率MOSFET的雪崩耐量是多少？MOSFET的雪崩特性是当施加的电压大于V(BR)DSS

mos管的原理是什么，功率mosfetidsiliconlimited是什么意思？mosfet选型中一个重要的数值是RDS，功率MOSFET的雪崩耐量是多少？MOSFET的雪崩特性是当施加的电压大于V(BR)DSS时，MOSFET不会被损坏的漏极和源极之间的最大能量，用漏极电流的值来表示。

MOSFET的全称是“金属氧化物半导体场效应晶体管”。为了减少续流电流引起的寄生二极管损耗，MOSFET在某些应用中被用作逆变器。MOFSET具有低导通电阻和双向电流流动的特点。当M1被关断并进入续流阶段时，M2被接通以使续流电流流过M2。因为MOSFET的导通电阻极低，所以损耗很小。例如，当续流电流为10A，MOSFET的导通电阻为10mΩ，二极管D2的压降为0.7v时，续流电流流经D2时产生的损耗为7W，而流经MOSFET时产生的损耗仅为1W。因此，使用这种控制方法。

用万用表很难区分，因为MOS管的导通电阻一般是几十毫欧，超出了万用表电阻检测的精度范围。一个比较简单的方法就是看丝印是否清晰，有没有被打磨和改动的痕迹。另外，不同厂家的丝印字体各有特色，比如英飞凌和ST的，完全不一样。另外，也是看包装的一种方式。以600 vmosfet为例。25A以下，一般是TO220；25A以上，基本到247包以上。如果标称是几十A，封装很小，那就值得怀疑了。2、功率mosfetidsiliconlimited是什么意思

MOSFET形状选择中的一个重要值是RDS，ID是指MOSFET器件在一定条件下所能承受的最大电流。超过这个电流，会对MOSFET造成不可修复的结构性损伤。电路设计计算中计算电路的工作电流，根据电流和所选MOSFET型号的内阻计算PD功率，以确定MOSFET选型是否符合设计要求。

MOSFET的雪崩特性是当施加的电压大于V(BR)DSS时，MOSFET不会被损坏的漏源间的最大能量，用漏极电流的值来表示。当负载为电感时，电子管关断时施加在漏极和源极之间的冲击电压往往大于V(BR)DSS。电源通常需要高压大电流的mosfet。与电源相比，信息电子电路的电压和电流要小得多，mosfet的耐压和电流自然更小。mosfet工艺是一样的，可以通用。并不是说信息电子电路mosfet不能用在电源上，有些电源设备只需要低电压小电流。

工作原理:MOS晶体管通过施加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS晶体管是压控器件，通过施加在栅极的电压来控制器件的特性，不会出现三极管作为开关时基极电流引起的电荷存储效应，所以在开关应用中MOS晶体管的开关速度要比三极管快，其主要原理如图所示:功能:由于MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。