如何计算mos管的vds电压mos管的vds电压计算方法:根据PI*I*R，得到I10.3A。当Vds>VgsVth时，栅极和沟道VgsVdsmos之间的电势差是正的还是负的？比如12v是mos开，5v是mos关，p

如何计算mos管的vds电压mos管的vds电压计算方法:根据PI*I*R，得到I10.3A。当Vds>VgsVth时，栅极和沟道VgsVdsmos之间的电势差是正的还是负的？比如12v是mos开，5v是mos关，pmos晶体管的vgs也有正值和负值，这种mos晶体管，mos晶体管的vgs通常不使用负电压关断，但如果使用负电压，可以增加关断的可靠性，提高vds的耐压。

2、求解释一些MOS管驱动电压

过驱电压VodVgsVth。可以理解为剩余电压超过驱动阈值(Vth)的幅度。1)只有当你的过驱动电压“大于零”时，沟道才会形成，MOS晶体管才会工作。也就是说，过驱动电压可以用来判断晶体管是否导通。2)通道电荷与过驱动电压的平方成正比。也就是说，可以使用过驱动电压来计算饱和区域中的电流。3)如果能更深入的理解，就能明白过驱电压不仅适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。

MOS晶体管是否饱和不仅取决于UGS参数，还取决于与UDS的组合。如果不考虑击穿特性(即MOS管的第四个区域，雪崩区也是击穿区，在电力电子技术中应该是指这个区域)，那么基本上可以认为图中右侧UGS曲线相对平坦的部分是恒流区，如果沿着曲线向左走，会有一个前箍缩断点，即UdsUgsUgs(th)，它是可变电阻区和恒流区的边界，在这个点之后，

1。开启电压vt。开启电压(也称为阈值电压):开始在源极电极S和漏极电极D之间形成导电沟道所需的栅极电压；标准N沟道MOS晶体管，VT约3 ~ 6V通过改进工艺，MOS管的VT值可以降低到2 ~ 3V。2.DC输入电阻RGS是施加在栅极和源极之间的电压与栅极电流的比值。这种特性有时用流经栅极的栅极电流来表示。MOS管的RGS可以轻松超过1010ω。

是这样的。电路有一个参考点作为地，平时提到的电压都是相对于地参考的。比如你说的D极电压，就是D极相对于地的电压。你问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是把原来的参考地改成S作为参考。简单来说，如果你站在二楼，以地面为10米的参考高度，换成一楼楼顶为参考高度后，高度就是5米。当Vgs>Vth时，形成反型层，在栅下产生电荷分布均匀的沟道(简单理解为栅下聚集了一层被吸走的电子)。

当Vds>0时，电子从源极迁移到漏极，产生从漏极到源极的电流。当Vds>VgsVth时，栅极和沟道之间的电势差为VgsVd。